卡蓓特ETFE芯片塑封膜 etfe release film 自主研发设计

基本信息

• 材料组成：主成分是乙烯 - 四氟乙烯共聚物，兼具聚四氟乙烯（PTFE）的耐化学性与聚乙烯的加工性。
• 分子结构：由交替排列的乙烯和四氟乙烯链段组成，含有键能高达485kJ/mol 的稳定氟碳键。
• 材料形态：通常为透明或半透明薄膜，厚度在25-250μm之间，标准宽度约1250mm。 

关键性能优势

• 耐热性：可在-200℃至180℃长期使用，短时能耐受200℃以上高温，适配封装150-180℃的高温环境。
• 离型性能：表面能低，离型后无残留，可防止溢胶和芯片表面损伤，使良率提升12%。
• 尺寸稳定性：热收缩率<0.1%（180℃/2h），能有效降低BGA焊球偏移不良率。
• 化学稳定性：300℃以下无分解产物，挥发物<0.01ppm，可避免芯片钝化层腐蚀。
• 机械强度：拉伸强度≥50MPa，断裂伸长率≥300%，能适应复杂工艺操作，不易破损。
• 透光率：透光率>95%，便于封装过程中的光学检测。

技术指标升级

• 超薄化与高精度：可实现1-50μm的超薄化生产，厚度公差控制在±0.5μm内，在3D堆叠等高密度结构中，能精准填充芯片间隙，支持芯片引脚密度提升至1000点/mm²以上。
• 绝缘性能优异：介电强度均匀性偏差＜3%，体积电阻率全表面无明显波动，可稳定承受 150kV/mm 的电场强度，能有效避免漏电、短路问题。
• 低介电常数：在1MHz下介电常数仅为2.1-2.3，介电损耗角正切＜0.001，能减少信号传输的介质损耗与延迟，使数据传输速率提升15%-20%。

应用场景

• 薄膜辅助成型（FAM）工艺：在BGA/LGA封装中保护焊球阵列，在FC倒装芯片封装中防止材料粘连，在SiP系统级封装中为多层堆叠结构提供隔离，也适用于AI芯片高算力封装，可耐受高热流密度，防止翘曲变形。
• 金线键合保护：可覆盖并保护脆弱的金线连接，防止湿气渗透和机械损伤，适用于CPU、GPU、存储器等芯片的多引脚封装。